دیتاشیت SI2309CDS-T1-E3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2309CDS-T1-E3 |
|---|---|
| حجم فایل | 77.101 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت SI2309CDS-T1-E3 |
SI2309CDS-T1-E3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI2309CDS-T1-E3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 1W;1.7W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4.1nC@4.5V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 210pF@30V
- Continuous Drain Current (Id): 1.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 345mΩ@1.25A,10V
- Package: TO-236-3
- Manufacturer: Vishay Intertech
